栅极和漏极连接_栅极和漏极
晶合集成申请半导体性能测试方法和测试装置专利,通过本申请的半...确定目标晶体管的源漏极、栅极连接的接触层为需要进行测试的目标接触层；确定与目标晶体管连接的测试晶体管，目标晶体管与测试晶体管具有连接关系；在测试晶体管的栅极施加偏置电压以导通测试晶体管，并对与测试晶体管的漏极或源极具有连接关系的金属层进行探测，得到金属层探还有呢？
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三星取得集成电路器件专利,实现电连接到源极/漏极区域之一栅极结构，在基板上与鳍型有源区域交叉并在垂直于第一方向且平行于基板的上表面的第二方向上延伸；引导图案，在第二方向上在栅极结构上延伸，并具有在第二方向上延伸的倾斜侧表面；源极/漏极区域，设置在栅极结构的两侧；以及第一接触，电连接到源极/漏极区域之一，并且第一接触的上部小发猫。
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台积电取得半导体结构专利,实现栅极结构电性连接极/漏极结构附近；间隙物包围栅极结构，由一层或多层材料组成；蚀刻停止层以及介电层于栅极结构上方，其位于栅极结构正上方的部分被去除以形成籽晶层以及栅极导孔；籽晶层位于栅极结构上方且毗邻于蚀刻停止层；栅极导孔于籽晶层上方且通过籽晶层与栅极结构电性连接。本文源自金融还有呢？
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韦尔股份申请开关电路专利,通过根据传输晶体管的栅极电容设定最大...金融界2023年12月12日消息，据国家知识产权局公告，上海韦尔半导体股份有限公司申请一项名为“开关电路“公开号CN117220652A,申请日期为2022年6月。专利摘要显示，本发明的开关电路包含：p通道传输晶体管，其源极连接于电源，漏极连接于负载；及栅极驱动电路，连接于所述传输晶是什么。
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北京大学申请多值晶体管及多值逻辑电路专利,实现三值或更多值功能所述多值晶体管包括：通道层以及设置于通道层的栅极、源极和漏极；电子过滤结构，电子过滤结构具有至少一个过滤能带隙，电子过滤结构与源极连接以过滤在过滤能带隙的范围内流向源极的电子，或者电子过滤结构与漏极连接以过滤在过滤能带隙的范围内流向漏极的电子；至少存在一个过后面会介绍。
京东方A申请光电晶体管及其制备方法专利,提供一种光电晶体管及其...设置在所述衬底基板上的栅极、源极、漏极、半导体有源层和光敏层；所述源极电连接所述半导体有源层的源极接触区；所述漏极电连接所述半导体有源层的漏极接触区；所述栅极和所述光敏层分别位于所述半导体有源层在所述衬底基板厚度方向上的两相对侧；其中，所述光敏层与所述半导还有呢？
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三星申请半导体器件专利,金属半导体化合物层的最上部位于比源极/漏...在衬底上的栅极结构；在栅极结构的至少一侧的源极/漏极区；以及连接到源极/漏极区的接触插塞。接触插塞包括金属半导体化合物层和在金属半导体化合物层上的阻挡层。接触插塞包括位于金属半导体化合物层和阻挡层彼此直接接触的位置处的第一倾斜表面和第二倾斜表面。阻挡层包等我继续说。
艾为电子取得稳压电路及电源管理芯片专利,降低稳压电路的功耗和...第一MOS管的漏极用于接收电源电压，第一MOS管的栅极与第一MOS管的源极连接，第一MOS管的源极与第二MOS管的漏极连接放大器的输入端；第二MOS管的源极接地，第一电阻和第二电阻的公共节点连接第二MOS管的栅极；功率管的第一端连接放大器的输出端，功率管的第二端用于连后面会介绍。
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三星申请具有异质接触件的集成电路专利,下部源极/漏极接触件的顶部...其在与栅极线分离的平面上在第一水平方向上延伸，且包含第一导电线和第二导电线；源极/漏极接触件，其具有连接到源极/漏极区域的底部表面，且包含在竖直方向上彼此连接的下部源极/漏极接触件和上部源极/漏极接触件；以及栅极接触件，其具有连接到栅极线的底部表面且在竖直方向上延等我继续说。
...增大了存储电路安全性,降低了硬件代价,增大了存储窗口和阵列规模读出管和铁电电容相互连接共同构成存储节点SN,写入管栅极接写入字线、漏极接写入位线、源极接SN,读出管栅极接SN、漏极接读出位线、源极接地，铁电电容一端接SN、另一端接读出字线；其中，SN用于存储明文信息，铁电电容用于存储密钥信息；铁电电容存在两种极化状态，对应两种不等会说。
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