栅极和漏极的关系_栅极和漏极
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台积电取得CN112018178B专利,实现在栅极和邻近的源极/漏极部件...多栅极半导体器件及其制造方法“授权公告号CN112018178B,申请日期为2019年11月。专利摘要显示，多栅极半导体器件及其形成方法包括在栅极和邻近的源极/漏极部件之间形成气隙。包括多个硅层的第一鳍元件设置在衬底上，第一栅极结构形成在第一鳍元件的沟道区上方。形成气隙等会说。
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晶合集成申请半导体性能测试方法和测试装置专利,通过本申请的半...确定目标晶体管的源漏极、栅极连接的接触层为需要进行测试的目标接触层；确定与目标晶体管连接的测试晶体管，目标晶体管与测试晶体管具有连接关系；在测试晶体管的栅极施加偏置电压以导通测试晶体管，并对与测试晶体管的漏极或源极具有连接关系的金属层进行探测，得到金属层探等我继续说。
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...半导体结构及其制备方法专利,降低半导体结构的栅极诱导漏极泄漏电流用于解决半导体结构具有较大的栅极诱导漏极泄漏电流的技术问题，该方法包括提供具有第一沟槽的衬底；在第一沟槽的底部形成第一初始掺杂区；对第一沟槽进行氧化处理，在第一沟槽的侧壁形成第一氧化层，在第一沟槽的底部形成第二氧化层，第一氧化层的厚度大于第二氧化层的厚度。本还有呢？
...方法专利,实现在基底上方具有金属栅极结构、源极及漏极的场效晶体管形成在基底上方具有金属栅极结构、源极及漏极的场效晶体管，在隔离绝缘层上方设置于虚设金属栅极结构之间的第一前侧接点，在第一前侧接点上方形成第一配线层，从基底的背侧移除基底的一部分，以暴露隔离绝缘层的底部，从隔离绝缘层的底部在隔离绝缘层中形成第一开口，以暴露第一等我继续说。
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...器件专利,实现鳍型有源区、沟道区、栅极线和源极/漏极区的集成设计金融界2023年12月11日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“集成电路器件“公开号CN117199071A,申请日期为2023年6月。专利摘要显示，一种集成电路(IC)器件包括：鳍型有源区；沟道区，在鳍型有源区上；栅极线，在鳍型有源区上围绕沟道区；源极/漏极区，在鳍型后面会介绍。
...降低半导体结构中的栅极诱导漏极泄漏电流,提高半导体结构的可靠性沟道区中设置有反型掺杂区，反型掺杂区靠近第一掺杂区，其中，反型掺杂区中的掺杂类型与沟道区中掺杂类型不同；栅极，栅极环绕部分沟道区，且于有源柱的轴线所在的平面上，栅极的投影与反型掺杂区的投影部分重合，以降低半导体结构中的栅极诱导漏极泄漏电流，提高半导体结构的可靠性是什么。
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朗特智能取得防反接电路及电子设备专利,实现快速防反接功能并减少...所述偏置电阻的另一端与所述场效应管的栅极连接；所述场效应管的源极与所述电池的正极连接，所述场效应管的漏极输出电池电压；所述保护模块分别与所述电池的正极、所述电池的负极以及所述场效应管的栅极连接。本实用新型通过场效应管在所述电池正接时，由驱动电压控制导通，进是什么。
华为公司申请环栅晶体管专利,可以生长出晶体质量较好的源极和漏极源极(031)、漏极(032)、内部隔离部(04)和栅极结构(05)。由于内部隔离部(04)是通过对源极(031)靠近侧墙(051)一侧以及对漏极(032)靠近侧墙(051)一侧进行氧化形成，可以使源极(031)和漏极(032)在外延生长时是沿着牺牲层(022)和沟道层(021)的暴露面开始，因此源极(031)和漏极(032)的是什么。
台积电取得半导体装置专利,通过专利技术降低寄生电容源极/漏极区域)与全栅极晶体管中栅极结构的第一部分之间的第一介电区域。介电区域还可以包括位于全栅极晶体管中接触结构与栅极结构的第二部分之间的第二介电区域。通过在全栅极晶体管中包括介电区域，与全栅极晶体管相关的寄生电容可以相对于另一个不包括介电区域的全栅极等我继续说。
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京东方A获得发明专利授权:“光电薄膜晶体管、指纹识别电路及显示...漏极接触区，以及位于源极接触区和漏极接触区之间沟道区，源极和漏极分别与第一半导体层的源极接触区和漏极接触区电连接。第一栅极与第说完了。 由算法生成(网信算备310104345710301240019号),与本站立场无关，如数据存在问题请联系我们。本文为数据整理，不对您构成任何投资建议，投说完了。
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