栅极和漏极是什么_栅极和漏极-美女天堂

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台积电取得CN112018178B专利,实现在栅极和邻近的源极/漏极部件...多栅极半导体器件及其制造方法“授权公告号CN112018178B,申请日期为2019年11月。专利摘要显示，多栅极半导体器件及其形成方法包括在栅极和邻近的源极/漏极部件之间形成气隙。包括多个硅层的第一鳍元件设置在衬底上，第一栅极结构形成在第一鳍元件的沟道区上方。形成气隙等会说。

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晶合集成申请半导体性能测试方法和测试装置专利,通过本申请的半...确定目标晶体管的源漏极、栅极连接的接触层为需要进行测试的目标接触层；确定与目标晶体管连接的测试晶体管，目标晶体管与测试晶体管具有连接关系；在测试晶体管的栅极施加偏置电压以导通测试晶体管，并对与测试晶体管的漏极或源极具有连接关系的金属层进行探测，得到金属层探说完了。

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...半导体结构及其制备方法专利,降低半导体结构的栅极诱导漏极泄漏电流用于解决半导体结构具有较大的栅极诱导漏极泄漏电流的技术问题，该方法包括提供具有第一沟槽的衬底；在第一沟槽的底部形成第一初始掺杂区；对第一沟槽进行氧化处理，在第一沟槽的侧壁形成第一氧化层，在第一沟槽的底部形成第二氧化层，第一氧化层的厚度大于第二氧化层的厚度。本是什么。

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栅极与漏极

...器件专利,实现鳍型有源区、沟道区、栅极线和源极/漏极区的集成设计金融界2023年12月11日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社申请一项名为“集成电路器件“公开号CN117199071A,申请日期为2023年6月。专利摘要显示，一种集成电路(IC)器件包括：鳍型有源区；沟道区，在鳍型有源区上；栅极线，在鳍型有源区上围绕沟道区；源极/漏极区，在鳍型后面会介绍。

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...方法专利,实现在基底上方具有金属栅极结构、源极及漏极的场效晶体管形成在基底上方具有金属栅极结构、源极及漏极的场效晶体管，在隔离绝缘层上方设置于虚设金属栅极结构之间的第一前侧接点，在第一前侧接点上方形成第一配线层，从基底的背侧移除基底的一部分，以暴露隔离绝缘层的底部，从隔离绝缘层的底部在隔离绝缘层中形成第一开口，以暴露第一等会说。

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...降低半导体结构中的栅极诱导漏极泄漏电流,提高半导体结构的可靠性沟道区中设置有反型掺杂区，反型掺杂区靠近第一掺杂区，其中，反型掺杂区中的掺杂类型与沟道区中掺杂类型不同；栅极，栅极环绕部分沟道区，且于有源柱的轴线所在的平面上，栅极的投影与反型掺杂区的投影部分重合，以降低半导体结构中的栅极诱导漏极泄漏电流，提高半导体结构的可靠性好了吧！

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...、移位寄存器单元、栅极驱动电路和显示面板专利,提高源漏单元的效率栅极驱动电路和显示面板“公开号CN117642865A,申请日期为2022年6月。专利摘要显示，一种薄膜晶体管、移位寄存器单元、栅极驱动电路和显示面板，薄膜晶体管中，每个源极单元包括M个源极分支，源极分支和漏极分支均沿第一方向延伸且在与第一方向相交的第二方向上间隔排列；一等会说。

台积电取得半导体装置专利,通过专利技术降低寄生电容半导体装置包括具有一个或多个介电区域的全栅极晶体管，其中介电区域包括一个或多个介电气体。介电区域可以包括位于磊晶区域(例如，源极/漏极区域)与全栅极晶体管中栅极结构的第一部分之间的第一介电区域。介电区域还可以包括位于全栅极晶体管中接触结构与栅极结构的第二部是什么。

京东方A获得发明专利授权:“薄膜晶体管、显示基板及显示装置”其可解决现有的薄膜晶体管漏电流较大的技术问题。本公开的薄膜晶体管包括：基底、位于基底上的有源层、栅极、源极和漏极；栅极具有一个或多个中空结构；栅极由中空结构划分为多个电连接的子栅极；每个子栅极在基底上的正投影均与有源层在基底上的正投影部分重叠。今年以来京还有呢？

台积电申请半导体结构及其形成方法专利,实施例涉及半导体结构及其...形成包括：形成包括第一栅极和第一源极/漏极区域的第一下部晶体管。方法也包括：形成包括第二栅极和第二源极/漏极区域的第一上部晶体管，第一上部晶体管与第一下部晶体管重叠。方法也包括：形成连接至第一导电部件和第二源极/漏极区域的导电通孔熔丝。本申请的实施例还涉及半导好了吧！

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