栅极和漏极电压_栅极和漏极

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朗特智能取得防反接电路及电子设备专利,实现快速防反接功能并减少...所述偏置电阻的一端与驱动电压连接,所述偏置电阻的另一端与所述场效应管的栅极连接;所述场效应管的源极与所述电池的正极连接,所述场效应管的漏极输出电池电压;所述保护模块分别与所述电池的正极、所述电池的负极以及所述场效应管的栅极连接。本实用新型通过场效应管在所等会说。

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...器电路专利,通过相对地调整电阻值,能够调整晶体管的栅极电压偏移源的电流经由所述一对调整电阻的其中一个供给到所述第1晶体管的漏极,并且将来自所述第1‑2电流源的电流经由第2调整电阻供给到所述第1晶体管的漏极,通过相对地调整第1调整电阻及第2调整电阻的电阻值,能够调整所述第1晶体管及所述第2晶体管的栅极电压偏移。本文源自金融界

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北京大学申请一种带有栅极终端延伸结构的GaN基HEMT器件及其制备...本发明公开了一种带有栅极终端延伸结构的GaN基HEMT器件及其制备方法,通过在器件栅极靠近漏极一侧引入栅极p‑GaN帽层终端延伸结构,优化器件关断状态下的栅极电场分布,从而提高了GaN基HEMT的击穿电压并且抑制了电流崩塌效应。借助仿真验证,引入栅极p‑GaN帽层终端延好了吧!

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台积电取得半导体结构及其制造方法专利,实现对半导体检测器单元...方法包括将第一电压施加至测试晶圆中的半导体检测器的检测器单元的第一晶体管的源极,以及将第二电压施加至检测器单元的第一晶体管的栅极和第二晶体管的漏极。第一晶体管串联耦接至第二晶体管,并且第一电压高于第二电压。对检测器单元执行预曝光读取操作。在施加第一电压小发猫。

艾为电子取得稳压电路及电源管理芯片专利,降低稳压电路的功耗和...第一MOS管的漏极用于接收电源电压,第一MOS管的栅极与第一MOS管的源极连接,第一MOS管的源极与第二MOS管的漏极连接放大器的输入端;第二MOS管的源极接地,第一电阻和第二电阻的公共节点连接第二MOS管的栅极;功率管的第一端连接放大器的输出端,功率管的第二端用于连等会说。

亿纬锂能取得开关器件的驱动保护电路专利,钳位保护电压大小的控制通过旁路控制模块根据驱动电压控制旁路模块的导通状态,进而控制与旁路模块并联的瞬态抑制二极管是否被旁路,实现对开关器件的栅极和第一极的钳位保护电压大小的控制。旁路控制模块在至少两个不同正驱动电压下,通过控制旁路模块的导通状态控制开关器件的栅极和第一极的压差小发猫。

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台积电取得半导体装置及其制造方法专利,提高了半导体装置的性能栅极电极、一对源极/漏极区及阈值电压调整区。所述栅极电极是在所述半导体衬底上方。沟道区是在所述半导体衬底与所述栅极电极之间。所述源极/漏极区在沟道长度方向上邻近于所述沟道区的两个相对侧。所述阈值电压调整区在沟道宽度方向上邻近于所述沟道区的两个相对侧,其中好了吧!

亿纬锂能获得实用新型专利授权:“开关器件的驱动保护电路”通过旁路控制模块根据驱动电压控制旁路模块的导通状态,进而控制与旁路模块并联的瞬态抑制二极管是否被旁路,实现对开关器件的栅极和第一极的钳位保护电压大小的控制。旁路控制模块在至少两个不同正驱动电压下,通过控制旁路模块的导通状态控制开关器件的栅极和第一极的压差后面会介绍。

三星取得具有多阈值电压的半导体器件专利,提供了一种具有多阈值...提供了一种具有多阈值电压的半导体器件,所述半导体器件包括位于半导体基底上的有源区、位于单独的对应的有源区上的栅极结构以及在半导体基底中位于单独的对应的栅极结构的相对侧上的源极/漏极区。每个单独的栅极结构包括顺序堆叠的高介电层、第一逸出功金属层、具有比第等我继续说。

...提供电平的方法专利,该电路可直接向存储器单元提供字线电压的电平极和第二晶体管的源极均连接至电源,第一晶体管的栅极在第一节点处连接至第二晶体管的漏极,第二晶体管的栅极在第二节点处连接至第一晶体管的漏极。该电路可通过第二晶体管和第三晶体管将配置为第一电平的电源直接耦合至存储器单元,从而向存储器单元提供字线电压的第一电平等我继续说。

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