栅极_栅极读音

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京东方A申请移位寄存器单元、栅极驱动电路及显示面板专利,实现显示...金融界2024年5月29日消息,据国家知识产权局公告,京东方科技集团股份有限公司申请一项名为“移位寄存器单元、栅极驱动电路及显示面板“公开号CN202410389683.8,申请日期为2024年4月。专利摘要显示,本发明公开了一种移位寄存器单元、栅极驱动电路及显示面板。栅极驱动还有呢?

京东方A申请一种移位寄存器及其控制方法、栅极驱动电路和显示装置...金融界2024年5月29日消息,据国家知识产权局公告,京东方科技集团股份有限公司申请一项名为“一种移位寄存器及其控制方法、栅极驱动电路和显示装置“的专利,公开号CN202410397038.0,申请日期为2024年4月。专利摘要显示,本申请实施例提供一种移位寄存器及其控制方法、栅说完了。

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京东方A公布国际专利申请:“一种移位寄存器、栅极驱动电路及显示...证券之星消息,根据企查查数据显示京东方A(000725)公布了一项国际专利申请,专利名为“一种移位寄存器、栅极驱动电路及显示装置”,专利申请号为PCT/CN2022/128664,国际公布日为2024年5月10日。专利详情如下:图片来源:世界知识产权组织(WIPO)今年以来京东方A已公布的国际小发猫。

台积电取得CN112018178B专利,实现在栅极和邻近的源极/漏极部件...金融界2024年5月9日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“制造半导体器件的方法、多栅极半导体器件及其制造方法“授权公告号CN112018178B,申请日期为2019年11月。专利摘要显示,多栅极半导体器件及其形成方法包括在栅极和邻近的源极好了吧!

...半导体装置可以包括栅极堆叠件、沟道层、隧道绝缘层、第一数据...金融界2024年5月8日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“半导体装置和包括半导体装置的电子系统“公开号CN117998857A,申请日期为2023年6月。专利摘要显示,提供了一种半导体装置和包括半导体装置的电子系统。所述半导体装置可以包括:栅极堆叠件,好了吧!

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三星取得半导体装置专利,实现第一栅极结构与第二栅极结构分离第一栅极结构,在与第一方向交叉的第二方向上延伸,位于第一鳍型图案上;第二栅极结构,在第二方向上延伸,位于第二鳍型图案上;以及盖图案,在第二方向上延伸,位于第一栅极结构和第二栅极结构上,其中,盖图案包括与虚设鳍型图案的上表面接触的分离部分,并且虚设鳍型图案和分离部分使是什么。

台积电申请栅极全环绕场效应晶体管器件专利,提高半导体器件的性能金融界2023年12月12日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“栅极全环绕场效应晶体管器件“公开号CN117219582A,申请日期为2023年6月。专利摘要显示,本公开涉及栅极全环绕场效应晶体管器件。一种形成半导体器件的方法包括:在衬底之上是什么。

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三星取得具有栅极绝缘层的半导体器件专利,提供了具有栅极绝缘层的...金融界2024年4月8日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“具有栅极绝缘层的半导体器件“授权公告号CN110931552B,申请日期为2019年6月。专利摘要显示,本公开提供了具有栅极绝缘层的半导体器件。一种半导体器件包括:栅极沟槽;上栅极绝缘层,在栅极沟还有呢?

海信家电申请栅极驱动芯片及其电压保护方法、电子设备专利,有效...金融界2024年3月15日消息,据国家知识产权局公告,海信家电集团股份有限公司申请一项名为“栅极驱动芯片及其电压保护方法、电子设备“公开号CN117711290A,申请日期为2023年11月。专利摘要显示,本申请实施例属于集成电路技术,提供一种栅极驱动芯片及其电压保护方法、电是什么。

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三星申请串行栅极晶体管和包括该晶体管的非易失性存储器设备专利,...金融界2024年2月9日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“串行栅极晶体管和包括该晶体管的非易失性存储器设备“公开号CN117545276A,申请日期为2023年8月。专利摘要显示,本公开提供了串行栅极晶体管和包括串行栅极晶体管的非易失性存储器设备。在说完了。

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