栅极电阻_栅极电阻怎么测量
通用电气取得集成栅极电阻器专利,效果为各自栅极电极通过与外部...金融界2024年4月23日消息，据国家知识产权局公告，通用电气公司取得一项名为“半导体功率转换设备的集成栅极电阻器“授权公告号CN110945662B,申请日期为2018年5月。专利摘要显示，一种半导体功率转换设备，包括在有源区域的不同部分中的多个器件单元，每个器件单元包括各自后面会介绍。
联动科技申请一种栅极电阻无级调节的测试装置专利,实现了栅极电阻...金融界2024年3月11日消息，据国家知识产权局公告，佛山市联动科技股份有限公司申请一项名为“一种栅极电阻无级调节的测试装置“公开号CN117665521A,申请日期为2023年12月。专利摘要显示，本发明提供一种栅极电阻无级调节的测试装置，包括栅极驱动电路和待测器件，所述栅极还有呢？
...U申请SGT器件及其制造方法、电子装置专利,有效地减小了栅极电阻沟槽中形成有栅极多晶硅层；沉积金属层，金属层覆盖所述氧化层及栅极多晶硅层；执行退火工艺，以使至少部分栅极多晶硅层与至少部分金属层反应形成栅极金属硅化物层。根据本申请的制造方法，在栅极中通过栅极金属硅化物替代部分栅极多晶硅，有效地减小了栅极电阻R。本文源自金融好了吧！
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台积电取得集成电路器件专利,电阻平衡条带极大地提高了栅极接地N型...金融界2024年1月29日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“集成电路器件“授权公告号CN220400593U,申请日期为2023年7月。专利摘要显示，本申请涉及一种集成电路器件，电阻平衡条带极大地提高了栅极接地N型通道金属氧化物半导体(ggNM后面会介绍。
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...栅极结构制备方法、半导体结构及栅极结构专利,减小导电层的电阻,...金融界2024年3月26日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构/栅极结构制备方法、半导体结构及栅极小发猫。 本公开实施例至少能够避免在制备导电层的过程中引入薄膜氧化层，从而减小了导电层的电阻，提高了制备半导体产品的性能及可靠性。本文源小发猫。
亚成微申请一种栅极驱动器控制方法和电路专利,提高栅极驱动器的...本发明公开了一种栅极驱动器控制方法和电路，该方法包括：在检测到通过所述栅极驱动器驱动所述MOS管打开时，启动所述温度检测电路及所述电流检测电路；通过所述温度检测电路输出第三电阻两端的电压，并基于所述第三电阻两端的电压确定所述栅极驱动器的温度，所述第三电阻为所述好了吧！
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高通公司取得用于集成电路的线中屏蔽栅专利,金属电阻器可以有效地...在IC中的MOL层中制造一个或多个金属电阻器来减少半导体区域中的栅极到漏极寄生电容。通过在MOL层中制造金属电阻器，金属电阻器可以被定位为靠近半导体器件，以在不增加当前制造工艺的成本或缺陷的情况下，更有效地减小半导体器件的寄生电容。当前的制造工艺可以用于在MO说完了。
台积电取得集成电路以及制造方法专利,实现电阻式随机存取存储器...金融界2024年1月1日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“集成电路以及制造方法“授权公告号CN113745403B,申请日期为2021年8月。专利摘要显示，电阻式随机存取存储器单元包括全环绕栅极晶体管和电阻器件。该电阻器件包括第一电极，该第好了吧！
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台积电取得半导体器件及其形成方法专利,实现晶体管和电阻器的优化...申请日期为2020年2月。专利摘要显示，一种半导体器件包括晶体管和电阻器。晶体管串联连接在电源端子和接地端子之间，并且晶体管的栅极端子连接在一起。电阻器覆盖在晶体管上方。电阻器连接在晶体管的源极端子和接地端子之间。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法等会说。
三星申请半导体装置专利,提供一种包括可变电阻图案的半导体装置和...三星电子株式会社申请一项名为“包括可变电阻图案的半导体装置和包括其的电子系统“公开号CN117750781A,申请日期为2023年7月。专利摘要显示，提供了一种包括可变电阻图案的半导体装置和包括其的电子系统。所述半导体装置包括：栅极线，在导电层与导电垫之间彼此间隔开；以说完了。
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