栅极电流_栅极电流什么意思

栅极电流的相关图片

日联科技取得一种测量装置专利,提高栅极对管电流的控制能力当该测量装置用于装配X射线源装置时,放置座能够保证灯丝单元位置的稳定性,配合能够灵活改变数显千分尺指针位置的支撑架,能够使灯丝顶端与阴极光圈保持一个适中的距离,不仅能够让更小的灯丝电流达到预设的管电流,而且还能提高栅极对管电流的控制能力。本文源自金融界

...半导申请半导体功率器件专利,包括控制电流沟道开启和关断的栅极结构凹陷在所述n型半导体层内的控制电流沟道开启和关断的栅极结构,所述栅极结构包括栅介质层和栅极;凹陷在所述p型体区内的钳位栅,所述钳位栅通过第一栅介质层与所述p型体区隔离;与所述n型源区和所述钳位栅电性连接的源极金属层,所述源极金属层与所述p型体区之间形成p‑n结二小发猫。

...半导体结构及其制备方法专利,降低半导体结构的栅极诱导漏极泄漏电流用于解决半导体结构具有较大的栅极诱导漏极泄漏电流的技术问题,该方法包括提供具有第一沟槽的衬底;在第一沟槽的底部形成第一初始掺杂区;对第一沟槽进行氧化处理,在第一沟槽的侧壁形成第一氧化层,在第一沟槽的底部形成第二氧化层,第一氧化层的厚度大于第二氧化层的厚度。本等会说。

...专利,通过根据传输晶体管的栅极电容设定最大电流,设定软接通时间栅极驱动电路包含:第1晶体管,通过接通/断开信号的接通而流通第1电流;及放大器,负输入端被输入与所述第1电流相对应的基准电压,正输入端被输入所述栅极的栅极电压,以所述栅极电压与所述基准电压一致的方式,通过来自输出端的输出而控制来自所述栅极的栅极电流,且可设定所述输出等会说。

海信家电申请IPM及其电流保护方法、IPM控制系统专利,该专利可以...海信家电集团股份有限公司申请一项名为“IPM及其电流保护方法、IPM控制系统“公开号CN202410383812.2,申请日期为2024年3月。专利摘要显示,本申请提供实施例属于集成电路技术,提供一种IPM及其电流保护方法、IPM控制系统,该栅极驱动电路包括检测电路、高侧驱动芯片及第是什么。

...降低半导体结构中的栅极诱导漏极泄漏电流,提高半导体结构的可靠性沟道区中设置有反型掺杂区,反型掺杂区靠近第一掺杂区,其中,反型掺杂区中的掺杂类型与沟道区中掺杂类型不同;栅极,栅极环绕部分沟道区,且于有源柱的轴线所在的平面上,栅极的投影与反型掺杂区的投影部分重合,以降低半导体结构中的栅极诱导漏极泄漏电流,提高半导体结构的可靠性还有呢?

ˋ▂ˊ

北京大学申请一种带有栅极终端延伸结构的GaN基HEMT器件及其制备...本发明公开了一种带有栅极终端延伸结构的GaN基HEMT器件及其制备方法,通过在器件栅极靠近漏极一侧引入栅极p‑GaN帽层终端延伸结构,优化器件关断状态下的栅极电场分布,从而提高了GaN基HEMT的击穿电压并且抑制了电流崩塌效应。借助仿真验证,引入栅极p‑GaN帽层终端延说完了。

˙﹏˙

...器电路专利,通过相对地调整电阻值,能够调整晶体管的栅极电压偏移在漏极·源极间流通第1输入电流;第2晶体管,在漏极·源极间流通第2输入电流;第1‑1电流源,对所述第1晶体管的栅极供给特定电流;第1‑2电流源,对所述第2晶体管的栅极供给特定电流;一对调整电阻,串联连接在所述第1晶体管的栅极与所述第2晶体管的栅极间;连接路,将所述一对调整电好了吧!

亚成微申请一种栅极驱动器控制方法和电路专利,提高栅极驱动器的...本发明公开了一种栅极驱动器控制方法和电路,该方法包括:在检测到通过所述栅极驱动器驱动所述MOS管打开时,启动所述温度检测电路及所述电流检测电路;通过所述温度检测电路输出第三电阻两端的电压,并基于所述第三电阻两端的电压确定所述栅极驱动器的温度,所述第三电阻为所述后面会介绍。

ˇωˇ

海信家电申请栅极驱动芯片及其控制方法、存储介质及IPM专利,该专利...本申请实施例提供一种栅极驱动芯片及其控制方法、存储介质及IPM,属于功率半导体技术,该芯片包括输入控制模块,以及分别与输入控制模块连接的第一驱动电路和第二驱动电路;输入控制模块用于PWM信号和电流输入切换信号,并在电流输入切换信号为大电流信号时,导通第二驱动电路好了吧!

原创文章,作者:美女天堂,如若转载,请注明出处:http://v6cw9.shmgg.com/ec4e18uj.html

发表评论

登录后才能评论