栅极什么材料

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...导体器件及其形成方法专利,背侧栅极蚀刻停止层可以包括高k介电材料包括在第一栅极堆叠件的背侧上的背侧栅极蚀刻停止层(ESL),其中多个第一纳米结构与背侧栅极ESL重叠。背侧栅极ESL可以包括高k介电材料。半导体器件还包括在第一源极/漏极区之间延伸的多个第一纳米结构和在多个第一纳米结构上方并在第二源极/漏极区之间伸展的多个第二纳米说完了。

...自对准栅极触点的晶体管单元专利,晶体管单元可以包括由第一材料...专利摘要显示,公开了包括晶体管单元的装置和制造晶体管单元的方法。晶体管单元可以包括衬底、有源区域和在有源区域中具有栅极触点的栅极。晶体管单元还可以包括由第一材料形成的栅极触点的间隔物的第一部分和由第二材料形成的栅极触点的间隔物的第二部分。本文源自金融小发猫。

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长鑫存储申请半导体器件及其制备方法专利,可提高栅极沉积的均匀性在形成栅极之前,在堆叠层的第一区形成第一空隙,栅极材料能够自所述第一空隙的侧面通入(沿第二方向及第三方向)并沉积在半导体柱的栅介质层上,可提高栅极沉积的均匀性,且避免存在由于栅极材料通入不足而导致的栅极断线的情况发生,避免因栅极缺陷而影响后续工艺及半导体器件的等会说。

台积电取得半导体结构专利,实现栅极结构电性连接包括一个或多个栅极结构位于介电层中以及于源极/漏极结构附近;间隙物包围栅极结构,由一层或多层材料组成;蚀刻停止层以及介电层于栅极结构上方,其位于栅极结构正上方的部分被去除以形成籽晶层以及栅极导孔;籽晶层位于栅极结构上方且毗邻于蚀刻停止层;栅极导孔于籽晶层上方且好了吧!

江丰电子:公司技术产品可为GAA制造环节提供高品质材料金融界6月18日消息,有投资者在互动平台向江丰电子提问:GAA(环绕栅极晶体管)用于3nm以上芯片,芯片要走高端的必经之路。请问公司技术以及产品(材料)是否支持GAA的生产与制造环节?是否与GAA相关生产企业有业务或合作?公司回答表示:公司主要从事超大规模集成电路制造用超好了吧!

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三星申请半导体器件专利,该专利技术能实现包含二维半导体材料的半...申请日期为2023年7月。专利摘要显示,一种半导体器件可以包括包含二维(2D)半导体材料的沟道层、在沟道层的中央部分上的栅极绝缘层、在栅极绝缘层上的栅电极、以及分别接触沟道层的相反侧的第一导电层和第二导电层。第一导电层和第二导电层中的每个可以包括金属硼化物。..

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长鑫存储申请半导体结构及其制作方法专利,该半导体制作方法工艺...栅极材料层以及阻挡材料层;对阻挡材料层掺杂第一类型元素,以使第一类型元素在阻挡材料层中聚集,且阻挡材料层能够阻挡第一类型元素进入栅极材料层;至少去除第二区域正上方的阻挡材料层,并至少保留第一区域正上方的阻挡材料层;对第二区域正上方的栅极材料层掺杂第二类型元素是什么。

三星申请图像传感器专利,实现着陆结构的至少一部分水平重叠下电路...金融界2024年3月2日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“包括具有与栅极电极相同材料的着陆结构的图像传感器“公开号CN117641963A,申请日期为2023年8月。专利摘要显示,一种图像传感器,包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的下基底,设置说完了。

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中芯集成-U申请半导体专利,提高了半导体器件的阈值电压的一致性在沟槽的底部和侧壁以及衬底的表面上形成栅极介电层;形成栅极材料层,以填充沟槽,并覆盖衬底的表面上的栅极介电层;刻蚀栅极材料层,停止于栅极介电层;对栅极材料层进行处理,以形成第一预定厚度的第一绝缘层,并在沟槽内形成第一衬底的表面的栅极层;去除第一绝缘层,以露出栅极层小发猫。

曝光台积电明年将量产2nm工艺据悉,台积电计划在明年开始大规模生产2nm工艺技术,而苹果公司预计将成为首家采用这一尖端工艺的客户。据悉,台积电的2nm工艺将首次采用GAA技术,即全环绕栅极晶体管(Gate-All-Around)。这是一种新型的晶体管架构,它通过栅极材料环绕晶体管的源极和漏极,提供更精确的电流控制小发猫。

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